Transistor MOSFET IRF520 canal N

Description :

L’IRF520PBF est un Transistor MOSFET canal N, à commutation rapide,.
Le composant est robuste, avec une faible résistance interne.

Caractéristiques techniques:

• Type de canal : N
• Courant continu de Drain maximum : 9,2A
• Tension Drain Source maximum : 100V
• Type de boîtier : TO-220AB
• Type de montage : Traversant
• Nombre de broches : 3
• Résistance Drain Source maximum : 270MΩ
• Mode de canal : Enrichissement
• Tension de seuil minimale de la grille : 2V
• Tension directe de la diode : 1,8V
• Dissipation de puissance maximum : 60W
• Configuration du transistor : simple
• Tension Grille Source maximum : -20V à +20V
• Nombre d’élément par circuit : 1
• Matériau du transistor : Si
• Largeur : 4,7mm
• Longueur : 10,52mm
• Hauteur : 15,85mm
• Température d’utilisation maximum : 175°C
• Température de fonctionnement minimum : -55°C

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